Міністерство освіти і науки України Національний університет “Львівська політехніка” кафедра ТРР Звіт про виконання лабораторної роботи №2 з предмету “Основи автоматизації проектування радіоелектронних пристроїв” на тему: “Моделювання статичних характеристик біполярного транзистора”. виконав студент групи РТ-31 прийняв доц. Крук О. Г. Львів 2001 Мета роботи: моделювання біполярного транзистора в режимі постійного струму у середовищі програмно-методичного комплексу MicroCAP III. Хід роботи: Виводимо схему, за якою визначаємо вихідні статичні характеристики біполярного транзистора, в MicroCAP III і зберігаємо їх в бібліотеці. (Iб=0, R=0.001 Ом). Вводимо в бібліотеку параметри заступної схеми транзистора. Для номінальних значень Re, Rb, Rc розраховуємо вихідні статичні характеристики для Iб=0, 20, 40, 60 (А, ЕК=0...18 В при Т=27(С. Отримуємо графік: Задаєм варіацію Rb=0...0.5 кОм, (=0.25 кОм. Задаєм варіацію Rc=0...0.5 кОм, (=0.25 кОм. Задаєм варіацію Re=0...100 Ом, (=50 Ом. Для номінальних значень Re, Rb, Rc визначаємо характеристики при 77(С: та 127(С: Вводимо схему, за якою визначаються вхідні статичні характеристики біполярного транзистора, в MicroCAP III і зберігаємо її в бібліотеці. (R=0.001 Ом, ЕК=5 В). Для номінальних значень Re, Rb, Rc розраховутємо вхідні статичні характеристики для ЕК=5, 10, 15 В, Ueb=0...1 B при Т=27(С. Задаєм варіацію Rc. Задаєм варіацію Rb. Задаєм варіацію Re. Для номінальних значень Rc,Re,Rb знімаємо характеристики при 77(. та 127(: Висновки: під час виконання лабораторної роботи закріпив раніше набуті знання по біполярним транзисторам, одержав необхідні характеристики та по ним дослідив принцип дії транзистора при зміні певних параметрів.